专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]磁控溅射装置-CN202221494950.0有效
  • 王君 - 沈阳爱科斯科技有限公司
  • 2022-06-15 - 2022-10-18 - C23C14/35
  • 本实用新型提供一种磁控溅射装置,属于镀膜设备技术领域。磁控溅射装置包括靶座机构和磁场机构;靶座机构包括靶座,磁场机构设置于靶座内,磁场机构包括多个极性交替排布的磁体,且相邻的两个磁控溅射装置之间相邻近的两个磁体的极性相反,以在多个磁控溅射装置之间形成闭合磁场由于镀膜设备中通常具有多个磁控溅射装置,因此,本申请通过使磁控溅射装置中的磁场机构包括的多个极性交替排布的磁体,并使相邻的两个磁控溅射装置之间相邻近的两个磁体的极性相反,从而能够使镀膜设备形成闭合的磁场
  • 磁控溅射装置
  • [实用新型]磁控溅射装置-CN200820030258.6无效
  • 弥谦;杭凌侠;郭忠达;梁海峰;徐均琪;孙国斌;惠迎雪 - 西安工业大学
  • 2008-09-12 - 2009-06-03 - C23C14/35
  • 本实用新型属磁控溅射镀膜技术,具体涉及一种磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式,即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换,靶材利用率也只能提高到20%~35%,并且存在结构复杂,加工成本高的问题。本实用新型的一种磁控溅射装置,包括磁体、导磁体、基片和溅射靶,其特别之处在于:所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面,磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。
  • 磁控溅射装置
  • [实用新型]磁控溅射装置-CN201521052574.X有效
  • 檀长兵;程保龙;王涛 - 昆山国显光电有限公司
  • 2015-12-16 - 2016-05-04 - C23C14/35
  • 本实用新型实施例公开了一种磁控溅射装置,所述磁控溅射装置包括:基板、与所述基板正对设置的靶材、环绕设置在所述基板外围的遮挡板以及多个突出部;所述多个突出部两两间隔一定距离固定设置在所述遮挡板的至少一侧,本实用新型的磁控溅射装置能够防止溅射到基板之外的靶材原子污染基板和腔室,并且能够提高基板镀膜的质量。
  • 磁控溅射装置
  • [发明专利]磁控溅射装置-CN201811222871.2在审
  • 梅艳慧 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-10-19 - 2020-04-28 - C23C14/35
  • 本发明涉及镀膜技术领域,公开了一种磁控溅射装置,包括带有溅射腔的第一壳体、磁控靶、载板、第一抽气设备与第二抽气设备;磁控靶设置于第一壳体顶部,用于向溅射腔内溅射靶原子;载板包括相连接的第一承载部和第二承载部,第一承载部和第二承载部均位于第一抽气孔和第二抽气孔之间;第一承载部位于溅射腔内,并与磁控靶相对设置,且第一承载部用于承载基片;第一抽气孔和第二抽气孔均开设在第一壳体上;第一抽气设备与第一抽气孔相连通,第二抽气设备与第二抽气孔相连通;第一抽气设备和第二抽气设备用于抽取溅射腔内的气体。通过此种设置方式有效改善载板下部气流方向,使得溅射腔内的气体分布更加均匀,改善基片膜层的均匀性。
  • 磁控溅射装置
  • [发明专利]磁控溅射装置-CN202110974497.7在审
  • 张汝康;孙佳琦;王国峰 - 北海惠科半导体科技有限公司
  • 2021-08-24 - 2021-12-03 - C23C14/35
  • 本申请公开了一种磁控溅射装置,所述磁控溅射装置包括溅射腔体、基台、磁场调节装置和靶材;基台设置在溅射腔体内,用于放置基片;磁场调节装置设置在溅射腔体内,与基台相对设置;靶材设置在基台与磁场调节装置之间;磁场调节装置包括第一腔体、第一磁体结构和第二磁体结构,第一磁体结构包括至少两个定磁铁以及磁体旋转结构,相邻的两个定磁铁靠近所述靶材一端的极性相反,磁体旋转结构带动定磁铁进行旋转;第二磁体结构设置在溅射腔体外第二磁体结构可以调节腔室内磁场分布,无需调节原有磁铁与靶材的间距,使得镀膜更加均匀的同时节省调节时间,且在溅射腔体外调节更加方便。
  • 磁控溅射装置
  • [发明专利]磁控溅射装置-CN202111141915.0在审
  • 张浩;王国峰 - 北海惠科半导体科技有限公司
  • 2021-09-28 - 2021-12-31 - C23C14/35
  • 本申请公开了一种磁控溅射装置,包括基台、靶材、溅射腔体和磁场调节器;所述溅射腔体用于密封所述基台、靶材和磁场调节器,所述磁场调节器包括第一腔体、至少两个磁体以及磁体间距控制模块,所述至少两个磁体设置在所述第一腔体内通过不断改变磁体之间的间距使得两个磁体之间的磁场不断变化,从而改善靶材中间区域溅射量少,靶材整体利用率低的问题。
  • 磁控溅射装置
  • [发明专利]磁控溅射装置-CN201610496839.8有效
  • 张杨;杨大可;乔恩琳;吉冠腾 - 昆山国显光电有限公司
  • 2016-06-29 - 2018-10-12 - C23C14/35
  • 一种磁控溅射装置,包括工作腔室、基底、靶材及磁铁,基底、靶材及磁铁由上而下依次设置于工作腔室中,磁铁为多个条状且水平平行间隔设置,磁控溅射装置还包括靶材消耗监控装置,靶材消耗监控装置包括激光收发装置、计算模块、以及磁铁调整模块,激光收发装置为多个且均匀设置于基底上,激光收发装置与计算模块电性连接,激光收发装置记录收发激光的时间差并通过计算模块计算出每个激光收发装置所对应位置的靶材消耗量,磁铁调整模块与计算模块电性连接,磁铁调整模块根据计算模块的计算结果依次调整每个激光收发装置所对应磁靶距。上述磁控溅射装置,可实时准确监控靶材消耗量,准确调整磁靶距,提升溅射镀膜品质,保证镀膜均匀性和稳定性。
  • 磁控溅射装置

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